一.EDI进水为二级RO产水,核心指标:
1. 硬度(CaCO₃):≤1.0mg/L,最佳<0.1mg/L
2. 活性硅:≤1.0mg/L,最佳<0.5mg/L
3. 余氯:<0.05mg/L,最好无检出
4. 进水电导率:<20μS/cm
5. 铁、锰<0.01mg/L,浊度<1NTU,pH:5~9
二、各项超标危害
1、进水硬度超标危害
浓水室钙镁离子浓缩,极易产生碳酸钙、氢氧化镁结垢;
堵塞EDI膜堆、树脂通道,膜堆压差升高;
离子迁移受阻产生极化,产水电阻率下降、水质变差;
模块电流异常,产水水质不达标,严重烧毁模块。
2、硅含量超标危害
易形成难清理硅胶、硅酸盐垢,附着离子膜与树脂表面;
堵塞水流通道,膜堆压差上升;
弱电解质去除能力下降,产水电阻率上不去;
硅垢极难清洗,直接造成EDI模块不可逆损坏。
3、余氯超标危害
余氯具有强氧化性,永久性氧化降解阴、阳离子交换树脂;
氧化损坏离子交换膜,膜片脆化、破损;
树脂交换容量不可逆衰减;
产水电阻率暴跌、水质恶化,模块直接报废无法修复。
